四种增强半导体清洗装置清洗强度的方法

  增加半导体清洗装置清洗强度的方法主要有如下四种：

  1.抛动。为了让杂质不会粘贴在硅片表面上，采用一种晃动的方式，让装有硅片的篮子在清洗溶液中充分接触溶液，增加摩擦，有效去污。

  2.臭氧。利用臭氧的强氧化作用，产生泡沫。从而达到吸取硅片表面的污物的目的。

  3.超声波。使用超声波产生气泡，同样能够达到吸取硅片表面杂质的目的。这种情况是在温度要求不能太高的情况下使用的。如果高温与超声波同时作用,清洗效果较佳。

  4.加热。假设室温20℃的情况下，用加热器将清洗溶液的温度加热到80℃，这样酸碱在高温下能加快反应，得到更好的清洗效果。加热的方法有两种，一种是直接用电阻丝加热清洗溶液，这种方法的缺点在于加热溶液过程中，热量的传输不是很均匀，容易形成温度梯度，同时直接加热也容易产生多余的污染物。另一种方法是采用间接加热，利用泵把加热后的溶液重新送回清洗槽，这种清洗方法能够解决清洗槽内温度不均的问题，同时，也没有直接加热过程中产生污染物的问题，也是我们经常采用的一种方法。

  以上四种方法也可以组合使用, 这样清洗的效果会更好。